制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 690 mA
Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 12 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.25 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
系列: SI2
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 11 ns
正向跨导 - 最小值: 2.2 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 11 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 16 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
零件号别名: SI2325DS-T1-BE3 SI2325DS-E3
单位重量: 8 mg
